IRF9Z34NSTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
NOVA partie #:
312-2294406-IRF9Z34NSTRRPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRF9Z34NSTRRPBF
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D2PAK | |
| Numéro de produit de base | IRF9Z34 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 19A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 55 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) | |
| Autres noms | 448-IRF9Z34NSTRRPBFCT SP001551716 448-IRF9Z34NSTRRPBFTR 448-IRF9Z34NSTRRPBFDKR IRF9Z34NSTRRPBF-ND |
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