IXTP18P10T

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MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB

NOVA partie #:

312-2276159-IXTP18P10T

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IXTP18P10T

Paquet Standard:

Fiche technique:

P-Channel 100 V 18A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	IXYS
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Numéro de produit de base	IXTP18
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchP™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±15V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	83W (Tc)