SQM50020EL_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
NOVA partie #:
312-2288781-SQM50020EL_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQM50020EL_GE3
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-263 (D²Pak) | |
| Numéro de produit de base | SQM50020 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15100 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 375W (Tc) | |
| Autres noms | SQM50020EL_GE3TR SQM50020EL_GE3DKR SQM50020EL_GE3CT SQM50020EL_GE3-ND |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
DMN2230UQ-7Diodes Incorporated
TL431QDBZTTexas Instruments
FDT1600N10ALZonsemi
FDB024N06onsemi
NX1029X,115Nexperia USA Inc.
DMN5L06TK-7Diodes Incorporated