SSM6K781G,LF

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	6-WCSPC (1.5x1.0)
Numéro de produit de base	SSM6K781
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	U-MOSVII-H
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.4 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	6-UFBGA, WLCSP
Vg (Max)	±8V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 6 V
Dissipation de puissance (maximale)	1.6W (Ta)
Autres noms	SSM6K781G,LF(S SSM6K781GLFDKR SSM6K781GLFCT SSM6K781GLFTR

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