IPB60R055CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2
NOVA partie #:
312-2278598-IPB60R055CFD7ATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB60R055CFD7ATMA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 | |
| Numéro de produit de base | IPB60R055 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ CFD7 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 38A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3194 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 178W (Tc) | |
| Autres noms | 448-IPB60R055CFD7ATMA1DKR SP002621130 448-IPB60R055CFD7ATMA1CT 448-IPB60R055CFD7ATMA1TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
BZX84B16VLYFHT116Rohm Semiconductor
SBR20A300CTBDiodes Incorporated
STB43N65M5STMicroelectronics
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon Technologies
NTB110N65S3HFonsemi- IPB60R060P7ATMA1Infineon Technologies
NVBG020N090SC1onsemi