IRF540STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
NOVA partie #:
312-2279727-IRF540STRRPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRF540STRRPBF
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263) | |
| Numéro de produit de base | IRF540 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 28A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) | |
| Autres noms | IRF540STRRPBF-ND IRF540STRRPBFCT IRF540STRRPBFTR IRF540STRRPBFDKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
VS-4ECH06-M3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes Division
IRF540STRLPBFVishay Siliconix
RS3J-13-FDiodes Incorporated
IRF540NPBFInfineon Technologies
IRF540NSTRRPBFInfineon Technologies
CMR3-06 TR13 PBFREECentral Semiconductor Corp- IRF540NSTRLPBFInfineon Technologies
