BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
NOVA partie #:
312-2282860-BSC190N12NS3GATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSC190N12NS3GATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-1 | |
| Numéro de produit de base | BSC190 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta), 44A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 39A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 42µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 120 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 60 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 69W (Tc) | |
| Autres noms | BSC190N12NS3 GCT-ND BSC190N12NS3 GCT BSC190N12NS3 GDKR-ND BSC190N12NS3 GTR-ND BSC190N12NS3GATMA1TR SP000652752 BSC190N12NS3 G BSC190N12NS3 GTR BSC190N12NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC190N12NS3GATMA1DKR BSC190N12NS3G BSC190N12NS3GATMA1CT BSC190N12NS3 GDKR BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC190N12NS3 G-ND |
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