FDP61N20
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
NOVA partie #:
312-2289054-FDP61N20
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDP61N20
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
N-Channel 200 V 61A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220-3 | |
| Numéro de produit de base | FDP61 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | UniFET™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 61A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3380 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 417W (Tc) | |
| Autres noms | 2156-FDP61N20-OS |
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