IRFL210TRPBF

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MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223

NOVA partie #:

312-2285279-IRFL210TRPBF

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IRFL210TRPBF

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

N-Channel 200 V 960mA (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-223
Numéro de produit de base	IRFL210
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	960mA (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 580mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-261-4, TO-261AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	140 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Autres noms	IRFL210TRPBFCT IRFL210TRPBFDKR IRFL210TRPBFTR *IRFL210TRPBF IRFL210PBFDKR-ND IRFL210PBFCT IRFL210PBFTR IRFL210PBFDKR IRFL210PBFTR-ND IRFL210PBFCT-ND