IPD70N10S312ATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3-11
Numéro de produit de base	IPD70N10
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4355 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	125W (Tc)
Autres noms	IPD70N10S312ATMA1DKR IPD70N10S3-12-ND IPD70N10S3-12CT IPD70N10S3-12DKR-ND IPD70N10S312 IPD70N10S3-12TR-ND IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12CT-ND IPD70N10S312ATMA1TR SP000427248 IPD70N10S3-12DKR IPD70N10S3-12TR IPD70N10S312ATMA1CT

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