FDMS0309AS

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
NOVA partie #:
312-2274663-FDMS0309AS
Pièce de fabricant non:
FDMS0309AS
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

N-Channel 30 V 21A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Fairchild Semiconductor
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-PQFN (5x6)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePowerTrench®, SyncFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 21A (Ta), 49A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-PowerTDFN
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Autres noms2156-FDMS0309AS
ONSFSCFDMS0309AS

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