IXTN210P10T
MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
NOVA partie #:
312-2276625-IXTN210P10T
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXTN210P10T
Paquet Standard:
10
Fiche technique:
P-Channel 100 V 210A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Chassis Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-227B | |
| Numéro de produit de base | IXTN210 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchP™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 210A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 105A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 740 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vg (Max) | ±15V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 69500 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 830W (Tc) |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
IXTX210P10TIXYS
VS-FC420SA10Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IXTN170P10PIXYS- IXTN660N04T4IXYS
- IXTN40P50PIXYS