BSC120N03MSGATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-5
Numéro de produit de base	BSC120
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	11A (Ta), 39A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Autres noms	BSC120N03MS G BSC120N03MSGINTR BSC120N03MSGATMA1DKR BSC120N03MSGINTR-ND BSC120N03MSGXT BSC120N03MSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC120N03MSGINCT-ND BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND BSC120N03MSG BSC120N03MSGATMA1TR BSC120N03MSGINCT SP000311516 BSC120N03MSGINDKR-ND BSC120N03MSGATMA1CT BSC120N03MSGINDKR