TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
NOVA partie #:
312-2337204-TPH3206LDB
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TPH3206LDB
Paquet Standard:
60
Fiche technique:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PQFN (8x8) | |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 4-PowerDFN | |
| Vg (Max) | ±18V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 480 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 81W (Tc) |
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