SCT3080AW7TL

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Rohm Semiconductor
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-263-7
Numéro de produit de base	SCT3080
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 18 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vg (Max)	+22V, -4V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	571 pF @ 500 V
Dissipation de puissance (maximale)	125W
Autres noms	846-SCT3080AW7TLDKR 846-SCT3080AW7TLCT 846-SCT3080AW7TLTR

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