TK100S04N1L,LQ

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	DPAK+
Numéro de produit de base	TK100S04
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	U-MOSVIII-H
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5490 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	100W (Tc)
Autres noms	TK100S04N1LLQDKR TK100S04N1LLQCT TK100S04N1LLQTR TK100S04N1L,LQ(O

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