RQ3C150BCTB

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Rohm Semiconductor
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-HSMT (3.2x3)
Numéro de produit de base	RQ3C150
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerVDFN
Vg (Max)	±8V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4800 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	20W (Tc)
Autres noms	RQ3C150BCTBDKR RQ3C150BCTBCT RQ3C150BCTBTR

In stock Veuillez nous contacter

Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.

Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!