SI8416DB-T2-E1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Numéro de produit de base	SI8416
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	6-UFBGA
Vg (Max)	±5V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1470 pF @ 4 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Autres noms	SI8416DB-T2-E1-ND SI8416DB-T2-E1DKR SI8416DB-T2-E1CT SI8416DB-T2-E1TR

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