BSC0803LSATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-6
Numéro de produit de base	BSC0803
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™ 5
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	10A (Ta), 44A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 23µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta), 52W (Tc)
Autres noms	448-BSC0803LSATMA1DKR 448-BSC0803LSATMA1CT 448-BSC0803LSATMA1TR SP001614084

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