TP5322K1-G
MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
NOVA partie #:
312-2273353-TP5322K1-G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TP5322K1-G
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 220 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-236AB (SOT23) | |
| Numéro de produit de base | TP5322 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120mA (Tj) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 200mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 220 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 360mW (Ta) | |
| Autres noms | TP5322K1-GDKR TP5322K1-GCT TP5322K1-GTR TP5322K1-G-ND |
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