MSC080SMA120B4
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
NOVA partie #:
312-2299458-MSC080SMA120B4
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
MSC080SMA120B4
Paquet Standard:
1
Fiche technique:
N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247-4 | |
| Numéro de produit de base | MSC080 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 37A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 20 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-4 | |
| Vg (Max) | +23V, -10V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 838 pF @ 1000 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 200W (Tc) | |
| Autres noms | 150-MSC080SMA120B4 |
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