IPB60R040C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
NOVA partie #:
312-2289872-IPB60R040C7ATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB60R040C7ATMA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3 | |
| Numéro de produit de base | IPB60R040 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ C7 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 24.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.24mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 227W (Tc) | |
| Autres noms | IPB60R040C7ATMA1CT IPB60R040C7ATMA1-ND SP001277610 IPB60R040C7ATMA1DKR IPB60R040C7ATMA1TR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
IPB60R060C7ATMA1Infineon Technologies
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon Technologies