PSMN1R6-30MLHX

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	LFPAK33
Numéro de produit de base	PSMN1R6
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	160A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2369 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	106W (Ta)
Autres noms	PSMN1R6-30MLHX-ND 1727-8594-2 1727-8594-1 934660071115 1727-8594-6

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