IPD30N06S215ATMA2

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3-11
Numéro de produit de base	IPD30N06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 80µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	55 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1485 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	136W (Tc)
Autres noms	SP001061724 IPD30N06S215ATMA2DKR 2156-IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2TR IPD30N06S215ATMA2CT IPD30N06S215ATMA2-ND INFINFIPD30N06S215ATMA2

In stock Veuillez nous contacter

Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.

Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!