SIHFL110TR-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
NOVA partie #:
312-2272883-SIHFL110TR-BE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIHFL110TR-BE3
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-223 | |
| Numéro de produit de base | SIHFL110 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | |
| Autres noms | 742-SIHFL110TR-BE3CT 742-SIHFL110TR-BE3DKR 742-SIHFL110TR-BE3TR |
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