RQ6C050UNTR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
NOVA partie #:
312-2279383-RQ6C050UNTR
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
RQ6C050UNTR
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 20 V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TSMT6 (SC-95) | |
| Numéro de produit de base | RQ6C050 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 5A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vg (Max) | ±10V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.25W (Ta) | |
| Autres noms | RQ6C050UNTRDKR-ND RQ6C050UNTRTR RQ6C050UNTRTR-ND RQ6C050UNTRCT-ND RQ6C050UNTRCT RQ6C050UNTRDKR RQ6C050UNDKR RQ6C050UNCT |
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