IRF3415STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
NOVA partie #:
312-2282656-IRF3415STRLPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRF3415STRLPBF
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D2PAK | |
| Numéro de produit de base | IRF3415 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 43A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 22A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 150 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| Autres noms | IRF3415STRLPBFCT SP001553944 IRF3415STRLPBFDKR IRF3415STRLPBFTR IRF3415STRLPBF-ND |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
IRF2807STRLPBFInfineon Technologies
IRF3415PBFInfineon Technologies
