NTD4979N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
NOVA partie #:
312-2301908-NTD4979N-35G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTD4979N-35G
Paquet Standard:
75
Fiche technique:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-PAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | I-PAK | |
| Numéro de produit de base | NTD4979 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 41A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 837 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) | |
| Autres noms | ONSONSNTD4979N-35G 2156-NTD4979N-35G-OS |
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