NVMYS1D3N04CTWG

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	LFPAK4 (5x6)
Numéro de produit de base	NVMYS1
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	43A (Ta), 252A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 180µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-1023, 4-LFPAK
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4855 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.9W (Ta), 134W (Tc)
Autres noms	NVMYS1D3N04CTWGOSDKR NVMYS1D3N04CTWGOSCT NVMYS1D3N04CTWGOSTR

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