SI7613DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
NOVA partie #:
312-2287709-SI7613DN-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI7613DN-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
| Numéro de produit de base | SI7613 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vg (Max) | ±16V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2620 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) | |
| Autres noms | SI7613DN-T1-GE3TR SI7613DNT1GE3 SI7613DN-T1-GE3DKR SI7613DN-T1-GE3CT |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NX3008NBK,215Nexperia USA Inc.
CSD25402Q3ATexas Instruments
ESP32-WROOM-32U (16MB)Espressif Systems
AON7407Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SI7106DN-T1-E3Vishay Siliconix- SI7619DN-T1-GE3Vishay Siliconix
TPS3808G09DBVRTexas Instruments- SIS412DN-T1-GE3Vishay Siliconix
LTST-C190GKTLite-On Inc.- SIS407DN-T1-GE3Vishay Siliconix
MMBT3904LP-7BDiodes Incorporated- CSD25404Q3TTexas Instruments
- SIS443DN-T1-GE3Vishay Siliconix
