PMV52ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
NOVA partie #:
312-2284521-PMV52ENEAR
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
PMV52ENEAR
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-236AB | |
| Numéro de produit de base | PMV52 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 630mW (Ta), 5.7W (Tc) | |
| Autres noms | 1727-8666-2 1727-8666-1 934661153215 1727-8666-6 |
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