IPB110P06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
NOVA partie #:
312-2298277-IPB110P06LMATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB110P06LMATMA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 | |
| Numéro de produit de base | IPB110 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 5.55mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 281 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8500 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 300W (Tc) | |
| Autres noms | 448-IPB110P06LMATMA1TR SP004987252 448-IPB110P06LMATMA1CT IPB110P06LMATMA1-ND 448-IPB110P06LMATMA1DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
ATP304-TL-Honsemi
SPB80P06PGATMA1Infineon Technologies
LTC6090IS8E#PBFAnalog Devices Inc.
SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
M41T83ZMY6FSTMicroelectronics- SUM110P06-07L-E3Vishay Siliconix
- SQM110P06-8M9L_GE3Vishay Siliconix
- NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- NP100P06PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
