IRF3708PBF

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HEXFET SMPS POWER MOSFET

NOVA partie #:

312-2276086-IRF3708PBF

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IRF3708PBF

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	International Rectifier
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	62A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 4.5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±12V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2417 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	87W (Tc)
Autres noms	2156-IRF3708PBF IFEINFIRF3708PBF