IPC100N04S52R8ATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-34
Numéro de produit de base	IPC100
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2600 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	75W (Tc)
Autres noms	IPC100N04S52R8ATMA1-ND 2156-IPC100N04S52R8ATMA1 INFINFIPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1CT IPC100N04S52R8ATMA1TR IPC100N04S52R8ATMA1DKR SP001418102

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