SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
NOVA partie #:
312-2282076-SPD15P10PLGBTMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SPD15P10PLGBTMA1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 | |
| Numéro de produit de base | SPD15P10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | SIPMOS® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 15A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1.54mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1490 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 128W (Tc) | |
| Autres noms | SPD15P10PLGBTMA1DKR SPD15P10PLGBTMA1CT SPD15P10PL GDKR SP000317393 SPD15P10PL G SPD15P10PLGBTMA1TR SPD15P10PL GCT SPD15P10PL G-ND SPD15P10PL GTR-ND SPD15P10PL GTR SPD15P10PL GDKR-ND SPD15P10PL GCT-ND |
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