IRFB4710PBF
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
NOVA partie #:
312-2289005-IRFB4710PBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFB4710PBF
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220AB | |
| Numéro de produit de base | IRFB4710 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 75A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6160 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| Autres noms | SP001556118 *IRFB4710PBF |
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