NVMYS6D2N06CLTWG

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	LFPAK4 (5x6)
Numéro de produit de base	NVMYS6
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 53µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SOT-1023, 4-LFPAK
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.6W (Ta), 61W (Tc)
Autres noms	488-NVMYS6D2N06CLTWGTR 488-NVMYS6D2N06CLTWGDKR 488-NVMYS6D2N06CLTWGCT

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