BSM300C12P3E201

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
NOVA partie #:
312-2275718-BSM300C12P3E201
Pièce de fabricant non:
BSM300C12P3E201
Paquet Standard:
4

N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Rohm Semiconductor
RoHS 1
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur Module
Numéro de produit de base BSM300
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 300A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 80mA
Fonction FET-
Paquet/caisseModule
Vg (Max)+22V, -4V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale) 1360W (Tc)
Autres noms846-BSM300C12P3E201

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