BSC015NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
NOVA partie #:
312-2282832-BSC015NE2LS5IATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSC015NE2LS5IATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-6 | |
| Numéro de produit de base | BSC015 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 33A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±16V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 25 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 12 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Autres noms | BSC015NE2LS5IATMA1-ND SP001288138 448-BSC015NE2LS5IATMA1DKR 448-BSC015NE2LS5IATMA1TR 448-BSC015NE2LS5IATMA1CT |
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