EPC8009
GANFET N-CH 65V 4A DIE
NOVA partie #:
312-2263274-EPC8009
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
EPC8009
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 65 V 4A (Ta) - Surface Mount Die
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Die | |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Série | eGaN® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 500mA, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | Die | |
| Vg (Max) | +6V, -4V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 65 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 52 pF @ 32.5 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | - | |
| Autres noms | 917-1078-1 917-1078-2 917-1078-6 |
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