IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
NOVA partie #:
312-2288163-IPD80P03P4L07ATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPD80P03P4L07ATMA1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3-11 | |
| Numéro de produit de base | IPD80P03 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | +5V, -16V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 88W (Tc) | |
| Autres noms | IPD80P03P4L07ATMA1CT IPD80P03P4L-07INCT-ND IPD80P03P4L-07 IPD80P03P4L07 IPD80P03P4L-07INTR-ND SP000396296 IPD80P03P4L-07INDKR IPD80P03P4L-07INCT IPD80P03P4L-07-ND INFINFIPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INDKR-ND 2156-IPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INTR IPD80P03P4L07ATMA1TR IPD80P03P4L07ATMA1DKR |
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