SSM3J36TU,LF

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	UFM
Numéro de produit de base	SSM3J36
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	330mA (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.2 nC @ 4 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	3-SMD, Flat Leads
Vg (Max)	±8V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	43 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	800mW (Ta)
Autres noms	SSM3J36TULFTR SSM3J36TULFDKR SSM3J36TU,LF(B SSM3J36TULFCT

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