BUK9Y6R0-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
NOVA partie #:
312-2281095-BUK9Y6R0-60E,115
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BUK9Y6R0-60E,115
Paquet Standard:
1,500
Fiche technique:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Numéro de produit de base | BUK9Y6 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39.4 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SC-100, SOT-669 | |
| Vg (Max) | ±10V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6319 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 195W (Tc) | |
| Autres noms | 568-10984-2-ND 1727-1504-6 568-10984-1-ND 568-10984-6 BUK9Y6R0-60E,115-ND 568-10984-6-ND 1727-1504-2 934067018115 1727-1504-1 568-10984-2 568-10984-1 |
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