SIA433EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
NOVA partie #:
312-2285410-SIA433EDJ-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIA433EDJ-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Numéro de produit de base | SIA433 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7.6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 8 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vg (Max) | ±12V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| Autres noms | SIA433EDJ-T1-GE3TR SIA433EDJT1GE3 SIA433EDJ-T1-GE3CT SIA433EDJ-T1-GE3DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NC7SZ14P5Xonsemi
NTLUS3A18PZCTCGonsemi
DRV8850RGYRTexas Instruments
PCA9539AHF,128NXP USA Inc.
DMN26D0UDJ-7Diodes Incorporated
NRVB120VLSFT1Gonsemi
