TSM2N60SCW RPG
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
NOVA partie #:
312-2303803-TSM2N60SCW RPG
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TSM2N60SCW RPG
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-223 | |
| Numéro de produit de base | TSM2 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 600mA (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 600mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 600 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Tc) | |
| Autres noms | TSM2N60SCW RPGCT-ND TSM2N60SCWRPGTR TSM2N60SCWRPGCT TSM2N60SCW RPGDKR TSM2N60SCWRPGDKR TSM2N60SCW RPGTR TSM2N60SCW RPGCT TSM2N60SCW RPGTR-ND TSM2N60SCW RPGDKR-ND |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
TSM1NB60CW RPGTaiwan Semiconductor Corporation