STB45N65M5
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
NOVA partie #:
312-2283594-STB45N65M5
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
STB45N65M5
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263) | |
| Numéro de produit de base | STB45 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | MDmesh™ V | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 19.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±25V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3375 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 210W (Tc) | |
| Autres noms | 497-12940-6 497-12940-2 497-12940-1 |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NVB072N65S3onsemi
STB43N65M5STMicroelectronics
STB42N65M5STMicroelectronics- STB57N65M5STMicroelectronics
FCB070N65S3onsemi- IPB65R065C7ATMA2Infineon Technologies
- NTB095N65S3HFonsemi
