IPZ40N04S5L2R8ATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TSDSON-8
Numéro de produit de base	IPZ40N04
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerVDFN
Vg (Max)	±16V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	71W (Tc)
Autres noms	IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT IPZ40N04S5L2R8ATMA1-ND 2156-IPZ40N04S5L2R8ATMA1 INFINFIPZ40N04S5L2R8ATMA1 IPZ40N04S5L2R8ATMA1DKR SP001152004 IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR

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