IRFS4229TRLPBF

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3
Numéro de produit de base	IRFS4229
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	45A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±30V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	250 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4560 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	330W (Tc)
Autres noms	IRFS4229TRLPBFDKR IRFS4229TRLPBFTR SP001557392 IRFS4229TRLPBF-ND IRFS4229TRLPBFCT

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