IRF6618TRPBF

IRF6618 - DIRECTFET POWER MOSFET
NOVA partie #:
312-2275300-IRF6618TRPBF
Pièce de fabricant non:
IRF6618TRPBF
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

N-Channel 30 V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:International Rectifier
RoHS 1
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur DIRECTFET™ MT
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieHEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 30A (Ta), 170A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V
Fonction FET-
Paquet/caisseDirectFET™ Isometric MT
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Autres noms2156-IRF6618TRPBF-600047

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