FDC3535
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
NOVA partie #:
312-2287736-FDC3535
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDC3535
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SuperSOT™-6 | |
| Numéro de produit de base | FDC3535 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | PowerTrench® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 183mOhm @ 2.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 40 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.6W (Ta) | |
| Autres noms | FDC3535DKR FDC3535TR FDC3535CT |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NCV4266ST50T3Gonsemi
NCV301LSN30T1Gonsemi
2N7002WT1Gonsemi
2N7002W-7-FDiodes Incorporated
FAN7888MXonsemi
FDC5614Ponsemi
NCP718BSN500T1Gonsemi
FDMC86102LZonsemi
ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated
BQ76952PFBRTexas Instruments- DMG1013UW-7Diodes Incorporated
FDS8984onsemi
RSQ015P10TRRohm Semiconductor
